MT29F1G16ABBEAH4:E
数据手册.pdfMicron(镁光)
主动器件
MT29F1G16ABBEAH4:E中文资料参数规格
技术参数
工作电压 1.80 V
位数 16
内存容量 125000000 B
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.95V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 63
封装 VFBGA-63
外形尺寸
封装 VFBGA-63
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
MT29F1G16ABBEAH4:E引脚图与封装图
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在线购买MT29F1G16ABBEAH4:E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MT29F1G16ABBEAH4:E | Micron 镁光 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 64M x 16Bit 63Pin VFBGA | 搜索库存 |
替代型号MT29F1G16ABBEAH4:E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MT29F1G16ABBEAH4:E 品牌： Micron 镁光 封装： 63-VFBGA 125000000B | 当前型号 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 64M x 16Bit 63Pin VFBGA | 当前型号 |
| 型号： MT29F1G16ABBDAH4:D 品牌： 镁光 封装： VFBGA 125000000B | 完全替代 | Flash, 64MX16, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63 | MT29F1G16ABBEAH4:E和MT29F1G16ABBDAH4:D的区别 |
| 型号： MT29F1G16ABBEAHC:E 品牌： 镁光 封装： 63-VFBGA 125000000B | 完全替代 | SLC NAND Flash Parallel 1.8V 1Gbit 64M x 16Bit 63Pin VFBGA | MT29F1G16ABBEAH4:E和MT29F1G16ABBEAHC:E的区别 |