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ADR431BR、ADR431BRZ、ADR431BR-REEL7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 ADR431BR ADR431BRZ ADR431BR-REEL7

描述 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source CapabilityANALOG DEVICES  ADR431BRZ.  芯片, 电压基准, 2.5V超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability

数据手册 ---

制造商 ADI (亚德诺) ADI (亚德诺) ADI (亚德诺)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±0.04 % ±0.04 % ±0.04 %

输出接口数 1 - -

输入电压(DC) 20.0V (max) 4.50V ~ 18.0V 20.0V (max)

输出电压 2.5 V 2.5 V 2.5 V

输出电流 30 mA 30 mA 30 mA

供电电流 800 µA 800 µA 800 µA

通道数 1 1 1

输出电压(Min) 2.5 V 2.5 V 2.5 V

精度 ±0.04 % - ±0.04 %

输入电压 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V 4.5V ~ 18V

针脚数 - 8 -

输入电压(Max) - 20 V -

输出电压(Max) - 2.501 V -

输出电流(Max) - 30 mA -

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TA) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ (TA)

温度系数 ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃ ±3 ppm/℃

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -