容差 ±0.04 %
输入电压DC 20.0V max
输出电压 2.5 V
输出电流 30 mA
供电电流 800 µA
通道数 1
输出电压Min 2.5 V
精度 ±0.04 %
输入电压 4.5V ~ 18V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ TA
温度系数 ±3 ppm/℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ADR431BR-REEL7引脚图
ADR431BR-REEL7封装图
ADR431BR-REEL7封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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ADR431BR-REEL7 | ADI 亚德诺 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: ADR431BR-REEL7 品牌: ADI 亚德诺 封装: SOIC 2.5V 30mA 8Pin | 当前型号 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | 当前型号 | |
型号: ADR431BRZ-REEL7 品牌: 亚德诺 封装: SOIC 2.5V 30mA 8Pin | 完全替代 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | ADR431BR-REEL7和ADR431BRZ-REEL7的区别 | |
型号: ADR431BR 品牌: 亚德诺 封装: SOIC 2.5V 30mA 8Pin | 完全替代 | 超低噪声XFET基准电压与电流库和源能力 Ultralow Noise XFET Voltage References with Current Sink and Source Capability | ADR431BR-REEL7和ADR431BR的区别 |