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STB60NF10T4

STB60NF10T4

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N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB60NF10T4, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
STB60NF10 系列 N 沟道 100 V 0.023 Ω STripFET II 功率 Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK


STB60NF10T4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

极性 N-Channel

耗散功率 300W Tc

输入电容 4270 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 40.0 A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 4270pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 23 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

STB60NF10T4引脚图与封装图
STB60NF10T4引脚图

STB60NF10T4引脚图

STB60NF10T4封装图

STB60NF10T4封装图

STB60NF10T4封装焊盘图

STB60NF10T4封装焊盘图

在线购买STB60NF10T4
型号 制造商 描述 购买
STB60NF10T4 ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STB60NF10T4
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STB60NF10T4

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-252-3 N-Channel 100V 40A

当前型号

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： IXTA75N10P

品牌： IXYS Semiconductor

封装： TO-252-3

功能相似

MOSFET N-CH 100V 75A TO-263

STB60NF10T4和IXTA75N10P的区别

型号： 2SK3588-01SJ

品牌： 富士电机

封装：

功能相似

N-CH 100V 73A

STB60NF10T4和2SK3588-01SJ的区别