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BAS21LT1G、BAS21LT3G、BAS21对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS21LT1G BAS21LT3G BAS21

描述 ON SEMICONDUCTOR  BAS21LT1G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAON SEMICONDUCTOR  BAS21LT3G  二极管 小信号, 单, 250 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 625 mAFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BAS21  二极管 小信号, 单, 200 V, 200 mA, 1 V, 50 ns, 1 A

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 小信号二极管小信号二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电流 200 mA - 200 mA

电容 5.00 pF - 5.00 pF

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出电流 ≤200 mA ≤200 mA ≤200 mA

负载电流 0.2 A - -

针脚数 3 3 3

正向电压 1.25 V 1.25V @200mA 1.25V @200mA

极性 Standard Standard Standard

耗散功率 385 mW 385 mW -

热阻 417℃/W (RθJA) 417℃/W (RθJA) -

反向恢复时间 50 ns 50 ns 50 ns

正向电流 200 mA 200 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 625 mA 625 mA 1 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1 V

正向电流(Max) 200 mA 200 mA 600 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW -

工作结温 - - 150℃ (Max)

长度 3.04 mm 2.9 mm 2.92 mm

宽度 1.3 mm 1.3 mm 1.3 mm

高度 0.94 mm 0.94 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -