FQP30N06L、STP45NF06、IRFZ44EPBF对比区别
型号 FQP30N06L STP45NF06 IRFZ44EPBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 VSTMICROELECTRONICS STP45NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRFZ44EPBF 场效应管, N 通道, MOSFET, 60V, 48A TO-220AB 新
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 32.0 A 38.0 A 48.0 A
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.027 Ω 0.028 Ω 23 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 79 W 80 W 110 W
阈值电压 2.5 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 32.0 A 38.0 A 48.0 A
上升时间 210 ns 100 ns 60.0 ns
输入电容(Ciss) 1040pF @25V(Vds) 980pF @25V(Vds) 1360pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 79 W 80 W 110 W
下降时间 110 ns 20 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 79W (Tc) 80W (Tc) -
产品系列 - - IRFZ44E
输入电容 - - 1360pF @25V
栅电荷 - - 60.0 nC
通道数 - 1 -
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.54 mm
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 16.3 mm 9.15 mm 15.24 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -