额定电压DC 60.0 V
额定电流 32.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 79 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 32.0 A
上升时间 210 ns
输入电容Ciss 1040pF @25VVds
额定功率Max 79 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 79W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.7 mm
高度 16.3 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
FQP30N06L | Fairchild 飞兆/仙童 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: FQP30N06L 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 60V 32A 27mohms | 当前型号 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP30N06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V | 当前型号 | |
型号: STP36NF06L 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 30A 32mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP36NF06L 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V | FQP30N06L和STP36NF06L的区别 | |
型号: STP45NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 38A 28mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP45NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V | FQP30N06L和STP45NF06的区别 | |
型号: STP36NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 30A 40mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STP36NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V | FQP30N06L和STP36NF06的区别 |