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FQP30N06L
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V

The is a QFET® N-channel enhancement mode Power MOSFET is produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength.

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Low gate charge
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100% Avalanche tested
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Low crss typical 50pF
.
±20V Gate-source voltage
FQP30N06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 32.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 79 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 210 ns

输入电容Ciss 1040pF @25VVds

额定功率Max 79 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 79W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

FQP30N06L引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
FQP30N06L Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V 搜索库存
替代型号FQP30N06L
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: FQP30N06L

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 N-Channel 60V 32A 27mohms

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQP30N06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 60 V, 27 mohm, 10 V, 2.5 V

当前型号

型号: STP36NF06L

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 30A 32mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP36NF06L  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 2.5 V

FQP30N06L和STP36NF06L的区别

型号: STP45NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 38A 28mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP45NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 60 V, 28 mohm, 10 V, 3 V

FQP30N06L和STP45NF06的区别

型号: STP36NF06

品牌: 意法半导体

封装: TO-220 N-Channel 60V 30A 40mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STP36NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

FQP30N06L和STP36NF06的区别