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BC640TA、BC640ZL1G、BC640TAR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC640TA BC640ZL1G BC640TAR

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC640TA  单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFE高电流晶体管 High Current TransistorsPNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -1.00 A -500 mA -1.00 A

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 1 W 625 mW -

增益频宽积 - 150 MHz -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 1A 0.5A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1 W 625 mW 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 1 W 625 mW -

频率 50 MHz - -

额定功率 800 mW - -

针脚数 3 - -

最大电流放大倍数(hFE) 160 - -

直流电流增益(hFE) 25 - -

长度 4.58 mm 5.2 mm -

宽度 3.93 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 - Silicon -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Box Box Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99