BC640TAR
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
BC640TAR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -1.00 A
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 40 @150mA, 2V
额定功率Max 1 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-226-3
外形尺寸
封装 TO-226-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
BC640TAR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BC640TAR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC640TAR 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -80V -1A | 当前型号 | PNP外延硅晶体管 PNP Epitaxial Silicon Transistor | 当前型号 |
| 型号： BC640TA 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-92 PNP -80V -1A 1W | 完全替代 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC640TA 单晶体管 双极, PNP, -80 V, 100 MHz, 1 W, -1 A, 25 hFE | BC640TAR和BC640TA的区别 |