IPD80R1K0CEATMA1、IPD80R1K0CEBTMA1对比区别

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型号 IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEBTMA1

描述 INFINEON  IPD80R1K0CEATMA1  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 800 V, 0.8 ohm, 10 V, 3 V 新DPAK N-CH 800V 5.7A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1

漏源极电阻 0.8 Ω 800 mΩ

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 83 W 83 W

阈值电压 3 V 2.1 V

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

漏源击穿电压 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 5.7A 5.7A

上升时间 15 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 785pF @100V(Vds) 785pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 83 W

下降时间 8 ns 8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 83 W 83W (Tc)

额定功率 83 W -

针脚数 3 -

长度 6.73 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Discontinued at Digi-Key

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -