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IRF7301TR、IRF7311TRPBF、NDS9925A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7301TR IRF7311TRPBF NDS9925A

描述 SOIC N-CH 20V 5.2AINFINEON  IRF7311TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV双N沟道增强型场效应晶体管 Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 5.20 A - 4.50 A

极性 N-CH N-CH Standard

产品系列 IRF7301 - -

漏源极电压(Vds) 20.0 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 5.20 A 6.6A 4.50 A

上升时间 42.0 ns 17 ns -

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.023 Ω 60.0 mΩ

耗散功率 - 2 W 2 W

阈值电压 - 700 mV -

输入电容 - 900 pF -

输入电容(Ciss) - 900pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) - 2 W 900 mW

下降时间 - 31 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW -

电容 - - 25.0 pF

输出电流 - - ≤6.00 A

漏源击穿电压 - - 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.75 mm

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99