IRF7301TR
数据手册.pdf
Infineon
英飞凌
分立器件
IRF7301TR中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 20.0 V
额定电流 5.20 A
极性 N-CH
产品系列 IRF7301
漏源极电压Vds 20.0 V
连续漏极电流Ids 5.20 A
上升时间 42.0 ns
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRF7301TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRF7301TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRF7301TR 品牌： Infineon 英飞凌 封装： SOIC N-CH 20V 5.2A | 当前型号 | SOIC N-CH 20V 5.2A | 当前型号 |
| 型号： IRF7311 品牌： 英飞凌 封装： SOIC Dual N-Channel 20V 6.6A | 类似代替 | SOIC N-CH 20V 6.6A | IRF7301TR和IRF7311的区别 |
| 型号： IRF7301TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 20V 5.2A | 功能相似 | INFINEON IRF7301TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 5.2 A, 20 V, 0.05 ohm, 4.5 V, 700 mV | IRF7301TR和IRF7301TRPBF的区别 |
| 型号： IRF7311TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-CH 20V 6.6A | 功能相似 | INFINEON IRF7311TRPBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 6.6 A, 20 V, 0.023 ohm, 4.5 V, 700 mV | IRF7301TR和IRF7311TRPBF的区别 |