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LM285M-1.2/NOPB、LM285MX-1.2/NOPB、LT1004CDR-1-2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM285M-1.2/NOPB LM285MX-1.2/NOPB LT1004CDR-1-2

描述 TEXAS INSTRUMENTS  LM285M-1.2/NOPB  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LM285系列, 1.235V, SOIC-8LM185-1.2 -N / LM285-1.2 -N / LM385-1.2 -N微功耗电压基准二极管 LM185-1.2-N/LM285-1.2-N/LM385-1.2-N Micropower Voltage Reference DiodeTEXAS INSTRUMENTS  LT1004CDR-1-2  电压基准, 微功率, 分流 - 固定, LT1004系列, 1.235V, SOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 电压基准芯片电压基准芯片电压基准芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

容差 ±1 % ±1 % ±0.32 %

输出电压 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流 20 mA 20 mA 20 mA

供电电流 10.0 mA - 20.0 mA

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

输出电压(Max) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电压(Min) 1.235 V 1.235 V 1.235 V

输出电流(Max) 20 mA 20 mA 10 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

精度 1 % 1 % ±4 mV

电源电压(DC) - 5.30V (max) -

额定电流 10.0 A - -

高度 1.45 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

温度系数 ±150 ppm/℃ ±150 ppm/℃ ±20 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -