IRFZ44VZSPBF、IRFZ44ZSTRRPBF、IRFZ44VZS对比区别

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型号 IRFZ44VZSPBF IRFZ44ZSTRRPBF IRFZ44VZS

描述 N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 60V 57A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 92 W 80 W -

漏源极电阻 0.012 Ω 0.0111 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 92 W 80 W 92W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 57A 51A 57A

上升时间 62 ns 68 ns -

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1420pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

下降时间 38 ns 41 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 92W (Tc) 80W (Tc) 92W (Tc)

针脚数 - 3 -

额定功率(Max) - 80 W -

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 11.3 mm -

高度 4.83 mm 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -