IRFZ44VZS
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
IRFZ44VZS中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 92W Tc
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 57A
输入电容Ciss 1690pF @25VVds
耗散功率Max 92W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
IRFZ44VZS引脚图与封装图
暂无图片
替代型号IRFZ44VZS
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFZ44VZS 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK N-CH 60V 57A | 当前型号 | D2PAK N-CH 60V 57A | 当前型号 |
| 型号： IRFZ44VZSPBF 品牌： 英飞凌 封装： D2PAK N-Channel 60V 57A | 类似代替 | N 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。 | IRFZ44VZS和IRFZ44VZSPBF的区别 |