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BFR193E6327、BFG540,215、BF771E6327对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFR193E6327 BFG540,215 BF771E6327

描述 NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor射频(RF)双极晶体管 TAPE7 TNS-RFSSInfineon### 双极晶体管,Infineon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 4 3

封装 SOT-23 TO-253-4 SOT-23

长度 - 3 mm 2.9 mm

宽度 - 1.4 mm 1.3 mm

高度 - 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-23 TO-253-4 SOT-23

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

频率 8 GHz 9000 MHz -

额定电压(DC) 12.0 V - -

额定电流 65.0 mA - -

极性 NPN - -

耗散功率 580 mW 400 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 15 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 60 @40mA, 8V -

最大电流放大倍数(hFE) - 60 -

额定功率(Max) - 400 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 400 mW -

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -