BFR193E6327
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BFR193E6327中文资料参数规格
技术参数
频率 8 GHz
额定电压DC 12.0 V
额定电流 65.0 mA
极性 NPN
耗散功率 580 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23
外形尺寸
封装 SOT-23
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
BFR193E6327引脚图与封装图
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在线购买BFR193E6327
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BFR193E6327 | Infineon 英飞凌 | NPN双极RF晶体管 NPN Bipolar RF Transistor | 搜索库存 |
替代型号BFR193E6327
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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