FDP75N08、IRF2807ZPBF、FDP75N08A对比区别

高亮显示差异参数

型号 FDP75N08 IRF2807ZPBF FDP75N08A

描述 75V N沟道MOSFET 75V N-Channel MOSFETINFINEON  IRF2807ZPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 89 A, 75 V, 9.4 mohm, 10 V, 4 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDP75N08A  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 11 mΩ 0.0094 Ω 11 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 131 W 170 W 137 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

漏源击穿电压 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 89A 75.0 A

上升时间 68 ns 79 ns 212 ns

输入电容(Ciss) 4468pF @25V(Vds) 3270pF @25V(Vds) 4468pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 137 W 170 W 137 W

下降时间 93 ns 45 ns 147 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 131W (Tc) 170W (Tc) 137W (Tc)

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 75.0 A

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 - 3270 pF 4.47 nF

栅电荷 - - 104 nC

额定功率 - 170 W -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 4.7 mm 4.83 mm 4.83 mm

高度 16.3 mm 16.51 mm 9.4 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99