IXFH30N50P、IXTT30N50P、APT5016BLLG对比区别

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型号 IXFH30N50P IXTT30N50P APT5016BLLG

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 VTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(3+Tab) TO-247

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 30.0 A 30.0 A 30.0 A

通道数 1 1 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.2 Ω 200 mΩ -

极性 N-Channel - -

耗散功率 460 W 460 W 329 W

阈值电压 5 V - -

输入电容 4.15 nF 4.15 nF 2.83 nF

栅电荷 70.0 nC 70.0 nC 72.0 nC

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A 30.0 A 30.0 A

上升时间 24 ns 27 ns 10 ns

反向恢复时间 200 ns - -

输入电容(Ciss) 4150pF @25V(Vds) 4150pF @25V(Vds) 2833pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W - -

下降时间 24 ns 21 ns 14 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 460W (Tc) 329W (Tc)

宽度 5.3 mm 14 mm -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-247-3

长度 - 16.05 mm -

高度 - 5.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -