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APT5016BLLG

APT5016BLLG

数据手册.pdf
APT5016BLLG中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 30.0 A

耗散功率 329 W

输入电容 2.83 nF

栅电荷 72.0 nC

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 30.0 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2833pF @25VVds

下降时间 14 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 329W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

APT5016BLLG引脚图与封装图
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在线购买APT5016BLLG
型号 制造商 描述 购买
APT5016BLLG Microsemi 美高森美 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247 搜索库存
替代型号APT5016BLLG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: APT5016BLLG

品牌: Microsemi 美高森美

封装: TO-247 500V 30A 2.83nF

当前型号

Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247

当前型号

型号: APT5016BFLLG

品牌: 美高森美

封装: TO-247 N-CH 500V 30A 2.83nF

完全替代

功率MOS 7 R FREDFET POWER MOS 7 R FREDFET

APT5016BLLG和APT5016BFLLG的区别

型号: STW26NM50

品牌: 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 500V 30A 120mΩ

功能相似

STMICROELECTRONICS  STW26NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V

APT5016BLLG和STW26NM50的区别

型号: IXFH30N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-247 N-Channel 500V 30A 200mΩ 4.15nF

功能相似

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH30N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V

APT5016BLLG和IXFH30N50P的区别