额定电压DC 500 V
额定电流 30.0 A
耗散功率 329 W
输入电容 2.83 nF
栅电荷 72.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 30.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 2833pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 329W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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APT5016BLLG | Microsemi 美高森美 | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: APT5016BLLG 品牌: Microsemi 美高森美 封装: TO-247 500V 30A 2.83nF | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin3+Tab TO-247 | 当前型号 | |
型号: APT5016BFLLG 品牌: 美高森美 封装: TO-247 N-CH 500V 30A 2.83nF | 完全替代 | 功率MOS 7 R FREDFET POWER MOS 7 R FREDFET | APT5016BLLG和APT5016BFLLG的区别 | |
型号: STW26NM50 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 500V 30A 120mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW26NM50 晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 120 mohm, 10 V, 4 V | APT5016BLLG和STW26NM50的区别 | |
型号: IXFH30N50P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247 N-Channel 500V 30A 200mΩ 4.15nF | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH30N50P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 30 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 5 V | APT5016BLLG和IXFH30N50P的区别 |