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BC858C、BC858C-7-F、BC858CW对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC858C BC858C-7-F BC858CW

描述 PNP Small Signal Transistor 310mWDIODES INC.  BC858C-7-F  单晶体管 双极, PNP, -30 V, 200 MHz, 300 mW, -100 mA, 600 hFETransistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 200mW; SOT323

数据手册 ---

制造商 Micro Commercial Components (美微科) Diodes (美台) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 - SOT-23-3 SOT-323

针脚数 - 3 -

极性 - PNP -

耗散功率 - 300 mW 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 30 V -

集电极最大允许电流 - 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) - 420 @2mA, 5V -

额定功率(Max) - 300 mW -

直流电流增益(hFE) - 600 -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 350 mW -

增益频宽积 - - 100 MHz

长度 - 3.05 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

封装 - SOT-23-3 SOT-323

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

军工级 - Yes -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -