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FJE3303H1TU、FJE3303TU、MJE13003G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FJE3303H1TU FJE3303TU MJE13003G

描述 高电压 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 400V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailSWITCHMODE TM系列NPN硅功率晶体管300和400伏40瓦 SWITCHMODE TM Series NPN Silicon Power Transistor 300 AND 400 VOLTS 40 WATTS

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 4 MHz - -

额定电压(DC) 400 V 400 V 400 V

额定电流 1.50 A 1.50 A 1.50 A

极性 N-Channel, P-Channel NPN NPN

耗散功率 20 W 20.0 W 1.40 W

漏源击穿电压 700 V - -

连续漏极电流(Ids) 1.50 A 1.50 A -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V 400 V

集电极最大允许电流 1.5A 1.5A 1.5A

最小电流放大倍数(hFE) 8 8 @500mA, 2V 8 @500mA, 2V

额定功率(Max) 20 W 20 W 1.4 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) 20000 mW - 1400 mW

长度 8 mm - -

宽度 3.25 mm - -

高度 11 mm - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99