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MJE170、MJE170STU、MJE170G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MJE170 MJE170STU MJE170G

描述 塑料互补硅功率晶体管40 - 60 - 80伏12.5沃茨 Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial SilON SEMICONDUCTOR  MJE170G  双极晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -40.0 V -40.0 V -40.0 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A 2.00 A

耗散功率 12.5 W 1.5 W 12.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V 40 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 12.5 W 1.5 W 1.5 W

极性 - PNP PNP, P-Channel

集电极最大允许电流 - 3A 3A

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

针脚数 - - 3

增益频宽积 - - 50 MHz

直流电流增益(hFE) - - 50

耗散功率(Max) - - 12500 mW

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

长度 - 8 mm 7.74 mm

宽度 - 3.25 mm 2.66 mm

高度 - 11.2 mm 11.04 mm

工作温度 -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tube Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2016/06/20

ECCN代码 - EAR99 EAR99