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IRLR3110ZTRPBF、PSMN025-100D,118对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLR3110ZTRPBF PSMN025-100D,118

描述 N沟道,100V,63A,16mΩ@4.5VNXP  PSMN025-100D,118  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 -

漏源极电阻 16 mΩ 0.022 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 140 W 150 W

产品系列 IRLR3110Z -

阈值电压 2.5 V 3 V

输入电容 3980pF @25V -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 3980pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 140 W 150 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3

连续漏极电流(Ids) - 47.0 A

上升时间 - 72 ns

下降时间 - 58 ns

耗散功率(Max) - 150W (Tc)

长度 6.73 mm 6.73 mm

高度 2.39 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 -