IPD60R3K3C6、IPD60R3K3C6ATMA1对比区别

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型号 IPD60R3K3C6 IPD60R3K3C6ATMA1

描述 INFINEON  IPD60R3K3C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1

针脚数 3 3

漏源极电阻 2.97 Ω 2.97 Ω

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 18.1 W 18.1 W

阈值电压 3 V 3 V

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 1.7A 1.7A

上升时间 10 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 93pF @100V(Vds) 93pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 18.1 W 18.1 W

下降时间 60 ns 60 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 18.1W (Tc) 18.1W (Tc)

漏源击穿电压 600 V -

长度 6.73 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm

高度 2.41 mm 2.41 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 -