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IPD60R3K3C6

IPD60R3K3C6

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IPD60R3K3C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


立创商城:
N沟道 600V 1.7A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R3K3C6, 1.7 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 1.7A DPAK-2 CoolMOS C6


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 1.7A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


儒卓力:
**N-CH 600V 2A 3300mOhm TO252-3 **


力源芯城:
600V,1.7A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3


DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3


IPD60R3K3C6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.97 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 18.1 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 1.7A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 93pF @100VVds

额定功率Max 18.1 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 18.1W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IPD60R3K3C6引脚图与封装图
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在线购买IPD60R3K3C6
型号 制造商 描述 购买
IPD60R3K3C6 Infineon 英飞凌 INFINEON  IPD60R3K3C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号IPD60R3K3C6
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD60R3K3C6

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 650V 1.7A

当前型号

INFINEON  IPD60R3K3C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 650 V, 2.97 ohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号: IPD60R3K3C6ATMA1

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 650V 1.7A

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