IRFZ46ZS、IRFZ46ZSPBF、IPD50N06S214ATMA1对比区别
型号 IRFZ46ZS IRFZ46ZSPBF IPD50N06S214ATMA1
描述 D2PAK N-CH 55V 51AN 通道功率 MOSFET 50A 至 59A，InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。DPAK N-CH 55V 50A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 - 82 W -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 13.6 mΩ -
极性 N-Channel N-CH N-CH
耗散功率 82W (Tc) 82 W 136W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V -
连续漏极电流(Ids) 51.0 A 51A 50A
上升时间 63.0 ns 63 ns -
输入电容(Ciss) 1460pF @25V(Vds) 1460pF @25V(Vds) 1485pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 82 W -
下降时间 - 39 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) 82W (Tc) 82W (Tc) 136W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V - -
额定电流 51.0 A - -
产品系列 IRFZ46ZS - -
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Bulk Tube -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead 无铅 Lead Free