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IPD50N06S214ATMA1

IPD50N06S214ATMA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

DPAK N-CH 55V 50A

表面贴装型 N 通道 50A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3-11


得捷:
MOSFET N-CH 55V 50A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 50A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


IPD50N06S214ATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 1485pF @25VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD50N06S214ATMA1引脚图与封装图
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IPD50N06S214ATMA1 Infineon 英飞凌 DPAK N-CH 55V 50A 搜索库存
替代型号IPD50N06S214ATMA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD50N06S214ATMA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: DPAK N-CH 55V 50A

当前型号

DPAK N-CH 55V 50A

当前型号

型号: IPD50N06S2-14

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 55V 50A

完全替代

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

IPD50N06S214ATMA1和IPD50N06S2-14的区别

型号: IPD50N06S214ATMA2

品牌: 英飞凌

封装: TO-252-3 N-CH 55V 50A

完全替代

N-CH 55V 50A

IPD50N06S214ATMA1和IPD50N06S214ATMA2的区别

型号: IRFZ46ZS

品牌: 英飞凌

封装: D2PAK N-Channel 55V 51A

功能相似

D2PAK N-CH 55V 51A

IPD50N06S214ATMA1和IRFZ46ZS的区别