BSM100GAL120DN2、FD200R12KE3、BSM100GAL120DLCK对比区别

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型号 BSM100GAL120DN2 FD200R12KE3 BSM100GAL120DLCK

描述 IGBT Power Module (Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes)62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diodeIGBT模块 IGBT-modules

数据手册 ---

制造商 Siemens Semiconductor (西门子) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 - Screw -

引脚数 - 5 7

封装 - 62MM-1 34MM

额定功率 - 1040 W -

长度 - 106.4 mm -

宽度 - 61.4 mm 34 mm

高度 - 30.9 mm -

封装 - 62MM-1 34MM

工作温度 - -40℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free