BSM100GAL120DN2
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Siemens Semiconductor
西门子
电子元器件分类
BSM100GAL120DN2中文资料参数规格
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产品生命周期 Obsolete
BSM100GAL120DN2引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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| BSM100GAL120DN2 | Siemens Semiconductor 西门子 | IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes | 搜索库存 |
替代型号BSM100GAL120DN2
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： BSM100GAL120DN2 品牌： Siemens Semiconductor 西门子 封装： | 当前型号 | IGBT Power Module Single switch with chopper diode Including fast free-wheeling diodes | 当前型号 |
| 型号： FD200R12KE3 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | 62毫米C系列模块，带沟槽/场终止IGBT3和EMCON高效率二极管 62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode | BSM100GAL120DN2和FD200R12KE3的区别 |
| 型号： FD150R12RT4 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | INFINEON FD150R12RT4 晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 150 A, 1.75 V, 790 W, 1.2 kV | BSM100GAL120DN2和FD150R12RT4的区别 |
| 型号： CM100E3U-24H 品牌： Powerex 封装： Module | 功能相似 | POWEREX CM100E3U-24H IGBT Array & Module Transistor, N Channel, 100A, 1.2kV, 650W, 1.2kV, Module | BSM100GAL120DN2和CM100E3U-24H的区别 |
