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TLE2022CDR、TLE2022ID、TLE2022CD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLE2022CDR TLE2022ID TLE2022CD

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLE2022CDR  芯片, 运算放大器Excalibur TLE 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsTEXAS INSTRUMENTS  TLE2022CD  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 0.5 V/µs, ± 2V 至 ± 20V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA ≤30 mA

供电电流 550 µA 550 µA 550 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

耗散功率 0.725 W 725 mW 0.725 W

共模抑制比 85 dB 85 dB 85 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 2.00 µV/K

带宽 1.7 MHz 1.2 MHz 1.7 MHz

转换速率 500 mV/μs 500 mV/μs 500 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 120 µV 150 µV 120 µV

输入偏置电流 35 nA 35 nA 35 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 1.7 MHz 2.8 MHz 2.8 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) 85 dB 85 dB 85 dB

电源电压 4V ~ 40V - -

电源电压(DC) - 20.0 V -

电源电压(Max) - 40 V -

电源电压(Min) - 4 V -

工作电压 - - 4V ~ 40V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.58 mm 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/06/15

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC