APT11F80B、IXFQ10N80P、IXFH10N80P对比区别

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型号 APT11F80B IXFQ10N80P IXFH10N80P

描述 N沟道FREDFET N-Channel FREDFETTO-3P N-CH 800V 10AN沟道 800V 10A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 3 - 3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 337W (Tc) 300W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 10A -

输入电容(Ciss) 2471pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds) 2050pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 337W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

额定电压(DC) 800 V - -

额定电流 11.0 A - -

输入电容 1.59 nF - -

栅电荷 60.0 nC - -

额定功率(Max) 337 W - -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 1.1 Ω

阈值电压 - - 5.5 V

漏源击穿电压 - - 800 V

上升时间 - - 22 ns

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-247-3

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free