APT11F80B
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
APT11F80B中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 11.0 A
极性 N-CH
耗散功率 337W Tc
输入电容 1.59 nF
栅电荷 60.0 nC
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
输入电容Ciss 2471pF @25VVds
额定功率Max 337 W
耗散功率Max 337W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
APT11F80B引脚图与封装图
暂无图片
替代型号APT11F80B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： APT11F80B 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-247 N-CH 800V 11A 1.59nF | 当前型号 | N沟道FREDFET N-Channel FREDFET | 当前型号 |
| 型号： IXFQ10N80P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO N-CH 800V 10A | 功能相似 | TO-3P N-CH 800V 10A | APT11F80B和IXFQ10N80P的区别 |