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MMBF4117、PMBF4393,215、PMBFJ113,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBF4117 PMBF4393,215 PMBFJ113,215

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4117  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 30 µA, 90 µA, 1.8 V, SOT-23, JFETN 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

击穿电压 -40.0 V 40.0 V -40.0 V

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 100 Ω 100 Ω

耗散功率 225 mW 250 mW 300 mW

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V

击穿电压 40 V 40 V 40 V

输入电容(Ciss) 3pF @10V(Vds) 14pF @20V(Vds) 6pF @10V(Vgs)

额定功率(Max) 225 mW 250 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 250 mW -

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 50.0 mA - -

极性 N-Channel - -

栅源击穿电压 40 V - -

连续漏极电流(Ids) 50.0 mA - -

长度 2.92 mm 3 mm 3 mm

宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.4 mm

高度 0.93 mm 1 mm 1 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -