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MMBF4117
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4117  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 30 µA, 90 µA, 1.8 V, SOT-23, JFET

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| 40v \---|--- 栅源极击穿电压VBRGSGate-Source Voltage| -40v 漏极电流Vgs=0VIDSSDrain Current| 0.03~0.09ma 关断电压VgsoffGate-Source Cut-off Voltage| -0.6~-1.8v 耗散功率PdPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| •N-Channel Switch This device is designed for low level analog switching, sample and hold circuits and chopper stabalized amplifiers. Sourced from Process 51. 描述与应用| •N沟道开关 该设备是专为低级别的模拟开关,采样和保持电路斩波stabalized放大器。来源从工艺51。


欧时:
### N 通道 JFET,Fairchild Semiconductor### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。


贸泽:
JFET N-Channel Switch


艾睿:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


富昌:
MMBF4117 系列 40 V 90 uA 表面贴装 N沟道 开关 - SOT-23-3


TME:
Transistor: N-JFET; unipolar; 225mW; SOT23; 50mA


Verical:
Trans JFET N-CH 3-Pin SOT-23 T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4117  JFET Transistor, Junction Field Effect, -40 V, 30 µA, 90 µA, -1.8 V, SOT-23, JFET


Win Source:
JFET N-CH 40V 0.225W SOT23


MMBF4117中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 40.0 V

额定电流 50.0 mA

击穿电压 -40.0 V

极性 N-Channel

耗散功率 225 mW

漏源极电压Vds 40.0 V

栅源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 50.0 mA

击穿电压 40 V

输入电容Ciss 3pF @10VVds

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.92 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.93 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

MMBF4117引脚图与封装图
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在线购买MMBF4117
型号 制造商 描述 购买
MMBF4117 Fairchild 飞兆/仙童 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4117  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 30 µA, 90 µA, 1.8 V, SOT-23, JFET 搜索库存
替代型号MMBF4117
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MMBF4117

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: SOT-223 N-Channel 40V 50mA 225mW

当前型号

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MMBF4117  晶体管, JFET, JFET, 40 V, 30 µA, 90 µA, 1.8 V, SOT-23, JFET

当前型号

型号: PMBF4393,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 250mW

功能相似

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

MMBF4117和PMBF4393,215的区别

型号: PMBFJ111,215

品牌: 恩智浦

封装: SOT-23

功能相似

PMBFJ111,215 N通道 JFET 晶体管 40 V, 3引脚 TO-236AB封装 min. 20mA

MMBF4117和PMBFJ111,215的区别

型号: PMBF4391,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236-3 250mW

功能相似

N 通道 JFET,NXP### JFET 晶体管一系列 JFET(接线场效应晶体管)和 HEMT/HFET(高电子迁移率晶体管/异质结 FET)分立半导体设备。

MMBF4117和PMBF4391,215的区别