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CY7C1423KV18-300BZC、CY7C1423KV18-300BZXC、CY7C1423AV18-300BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1423KV18-300BZC CY7C1423KV18-300BZXC CY7C1423AV18-300BZXC

描述 SRAM Chip Sync Dual 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165Pin FBGA TrayDDR SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, MO-216, FBGA-16536兆位的DDR -II SIO SRAM 2字突发架构 36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA

时钟频率 - 300 MHz 300MHz (max)

位数 18 18 -

存取时间 - 0.45 ns 300 µs

存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V -

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

电源电压(DC) - - 1.80 V, 1.90 V (max)

内存容量 - - 36000000 B

高度 0.89 mm 0.89 mm -

封装 LBGA-165 FBGA-165 FBGA

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray Tray, Bulk

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free