RTQ045N03、RTQ045N03TR、IRFR4615PBF对比区别

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型号 RTQ045N03 RTQ045N03TR IRFR4615PBF

描述 RTQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QM2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FETINFINEON  IRFR4615PBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 33A, D-PAK

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 6 3

封装 TSMT TSOT-23-6 TO-252-3

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 4.50 A -

漏源极电阻 0.042 Ω 420 mΩ 0.042 Ω

极性 N N-Channel N-CH

耗散功率 - 1.25 W 144 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 150 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.50 A 33A

上升时间 - 31 ns 35 ns

输入电容(Ciss) - 540pF @10V(Vds) 1750pF @50V(Vds)

额定功率(Max) - 1.25 W -

下降时间 - 30 ns 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1.25W (Ta) 144W (Tc)

额定功率 - - 144 W

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 5 V

封装 TSMT TSOT-23-6 TO-252-3

长度 - - 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.39 mm

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 3000 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17