RTQ045N03
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
RTQ045N03中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 4.5A
封装参数
封装 TSMT
外形尺寸
封装 TSMT
其他
产品生命周期 Not Recommended
最小包装 3000
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
RTQ045N03引脚图与封装图
暂无图片
在线购买RTQ045N03
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| RTQ045N03 | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | RTQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QM | 搜索库存 |
替代型号RTQ045N03
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： RTQ045N03 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： TSMT N 30V 4.5A 0.042Ω | 当前型号 | RTQ045N03 N沟道MOSFET 30V 4.5A SOT-163/TSMT6/SOT23-6 marking/标记 QM | 当前型号 |
| 型号： RTQ045N03TR 品牌： 罗姆半导体 封装： TSMT6 N-Channel 30V 4.5A 420mohms | 功能相似 | 2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET | RTQ045N03和RTQ045N03TR的区别 |
| 型号： FR4 品牌： 英飞凌 封装： | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 24A ID, 200V, 0.078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, ROHS COMPLIANT, DPAK-3 | RTQ045N03和FR4的区别 |