R6020ANJTL、FCA20N60S_F109、R6020ANJTLL对比区别

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型号 R6020ANJTL FCA20N60S_F109 R6020ANJTLL

描述 LPTS N-CH 600V 20ATrans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-3PPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 600V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LPTL, 3 PIN

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Fairchild (飞兆/仙童) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-263-3 TO-3-3 -

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 150 mΩ -

极性 N-CH N-CH -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

漏源击穿电压 - 650 V -

连续漏极电流(Ids) 20A 20A -

上升时间 60 ns 140 ns -

下降时间 70 ns 100 ns -

耗散功率 100 W - -

输入电容(Ciss) 2040pF @25V(Vds) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 100W (Tc) - -

长度 - 16.2 mm -

宽度 - 5 mm -

高度 - 20.1 mm -

封装 TO-263-3 TO-3-3 -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Not For New Designs Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -