R6020ANJTL
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ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
R6020ANJTL中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 100 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 60 ns
输入电容Ciss 2040pF @25VVds
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
R6020ANJTL引脚图与封装图
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在线购买R6020ANJTL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| R6020ANJTL | ROHM Semiconductor 罗姆半导体 | LPTS N-CH 600V 20A | 搜索库存 |
替代型号R6020ANJTL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： R6020ANJTL 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： LPTS N-CH 600V 20A | 当前型号 | LPTS N-CH 600V 20A | 当前型号 |
| 型号： FCA20N60S_F109 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3PN-3 N-CH 600V 20A | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-3P | R6020ANJTL和FCA20N60S_F109的区别 |