CY7C1512KV18-300BZXC、IS61QDB24M18A-300M3L、CY7C1512KV18-300BZC对比区别
型号 CY7C1512KV18-300BZXC IS61QDB24M18A-300M3L CY7C1512KV18-300BZC
描述 CY7C1512KV18 72 Mb (4Mx18) 300 MHz 1.8 V QDR™-II 2 字 突发 SRAM -FBGA-165QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-16572 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accesses
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165 165
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
供电电流 750 mA 750 mA -
位数 18 18 18
存取时间 0.45 ns 1.48 ns -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.71V ~ 1.89V 1.7V ~ 1.9V
时钟频率 - - 300 MHz
电源电压(Max) 1.9 V - -
电源电压(Min) 1.7 V - -
封装 FBGA-165 FBGA-165 FBGA-165
高度 0.89 mm - 0.89 mm
工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tray Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
ECCN代码 3A991.b.2.a - 3A991.b.2.a