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CY7C1512KV18-300BZXC

CY7C1512KV18-300BZXC

数据手册.pdf

CY7C1512KV18 72 Mb 4Mx18 300 MHz 1.8 V QDR™-II 2 字 突发 SRAM -FBGA-165

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 72Mb 4M x 18 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


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CY7C1512KV18-300BZXC


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SRAM 72MB 4Mx18 1.8v 300MHz QDR II SRAM


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SRAM Chip Sync Dual 1.8V 72M-Bit 4M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


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CY7C1512KV18-300BZXC中文资料参数规格
技术参数

供电电流 750 mA

位数 18

存取时间 0.45 ns

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

电源电压Max 1.9 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 FBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 FBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

CY7C1512KV18-300BZXC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1512KV18-300BZXC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1512KV18-300BZXC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 CY7C1512KV18 72 Mb 4Mx18 300 MHz 1.8 V QDR™-II 2 字 突发 SRAM -FBGA-165 搜索库存
替代型号CY7C1512KV18-300BZXC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1512KV18-300BZXC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

CY7C1512KV18 72 Mb 4Mx18 300 MHz 1.8 V QDR™-II 2 字 突发 SRAM -FBGA-165

当前型号

型号: CY7C1512KV18-300BZC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA

完全替代

72 - Mbit的QDR II SRAM 2字突发架构双字突发所有访问 72-Mbit QDR II SRAM 2-Word Burst Architecture Two-word burst on all accesses

CY7C1512KV18-300BZXC和CY7C1512KV18-300BZC的区别

型号: IS61QDB24M18A-300M3L

品牌: Integrated Silicon SolutionISSI

封装: FBGA

功能相似

QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17MM, 1.4MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165

CY7C1512KV18-300BZXC和IS61QDB24M18A-300M3L的区别