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CY7C1315KV18-300BZC、CY7C1315KV18-300BZXC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1315KV18-300BZC CY7C1315KV18-300BZXC

描述 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 165

封装 LBGA-165 FBGA-165

位数 - 36

存取时间(Max) - 0.45 ns

工作温度(Max) - 70 ℃

工作温度(Min) - 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

高度 - 0.89 mm

封装 LBGA-165 FBGA-165

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free