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CY7C1315KV18-300BZC

CY7C1315KV18-300BZC

数据手册.pdf

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, QDR II Memory IC 18Mb 512K x 36 Parallel 300MHz 165-FBGA 13x15


立创商城:
CY7C1315KV18-300BZC


得捷:
IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 1.8V 18M-Bit 512K x 36 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1315KV18-300BZC中文资料参数规格
技术参数

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LBGA-165

外形尺寸

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

CY7C1315KV18-300BZC引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
CY7C1315KV18-300BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1315KV18-300BZC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1315KV18-300BZC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: FBGA

当前型号

18兆位QDR® II SRAM四字突发架构 18-Mbit QDR® II SRAM Four-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1315KV18-300BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

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