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FQA9N50、IRFP440B对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FQA9N50 IRFP440B

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-3-3

漏源极电阻 730 mΩ 650 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 160W (Tc) 162 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 20.0 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 9.60 A 8.50 A

上升时间 - 65 ns

下降时间 - 75 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

额定电压(DC) 500 V -

额定电流 9.60 A -

输入电容(Ciss) 1450pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 160 W -

耗散功率(Max) 160W (Tc) -

长度 - 16.2 mm

宽度 - 5 mm

高度 - 20.1 mm

封装 TO-3-3 TO-3-3

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -