IRFP440B
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
IRFP440B中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 650 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 162 W
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 20.0 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 8.50 A
上升时间 65 ns
下降时间 75 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 16.2 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
IRFP440B引脚图与封装图
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在线购买IRFP440B
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IRFP440B | Fairchild 飞兆/仙童 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 搜索库存 |
替代型号IRFP440B
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IRFP440B 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3PN-3 N-Channel 500V 8.5A 650mohms | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： FQA9N50 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 500V 9.6A 730mohms | 类似代替 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | IRFP440B和FQA9N50的区别 |