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TLC27L2IDR、TLC27L2MD、TS27L2AID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC27L2IDR TLC27L2MD TS27L2AID

描述 LinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas InstrumentsLinCMOS 运算放大器### 运算放大器,Texas Instruments运算放大器 - 运放 Dual Prec Low-Power

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA 45 mA

供电电流 29 µA 29 µA 10 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 725 mW -

共模抑制比 65 dB 65 dB -

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.40 µV/K -

转换速率 30.0 mV/μs 30.0 mV/μs 40.0 mV/μs

增益频宽积 0.085 MHz 0.085 MHz 100 kHz

输入补偿电压 10 mV 1.1 mV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 1 pA

工作温度(Max) 85 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.085 MHz 0.085 MHz -

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

带宽 85 kHz - -

电源电压 4V ~ 16V - -

电源电压(Max) 16 V - -

长度 4.9 mm 5 mm 5 mm

宽度 3.91 mm 4 mm 4 mm

高度 1.58 mm 1.5 mm 1.65 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 - - EAR99