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IPD025N06NATMA1、IPD035N06L3G、IPD053N06NATMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPD025N06NATMA1 IPD035N06L3G IPD053N06NATMA1

描述 INFINEON  IPD025N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 VOptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorINFINEON  IPD053N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

额定功率 167 W - 83 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0021 Ω - 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 167 W 167 W 83 W

阈值电压 2.8 V - 2.8 V

输入电容 5200 pF - 2000 pF

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 90A - 45A

上升时间 20 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 5200pF @30V(Vds) - 2000pF @30V(Vds)

下降时间 12 ns - 7 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 3W (Ta), 167W (Tc) - 3000 mW

通道数 - - 1

长度 6.73 mm - 6.5 mm

宽度 6.22 mm - 6.22 mm

高度 2.41 mm - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17