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IPD035N06L3G

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 分立器件
IPD035N06L3G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 167 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

IPD035N06L3G引脚图与封装图
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在线购买IPD035N06L3G
型号 制造商 描述 购买
IPD035N06L3G Infineon 英飞凌 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPD035N06L3G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD035N06L3G

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-252AA N-Channel

当前型号

OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

当前型号

型号: IPD025N06NATMA1

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 90A

完全替代

INFINEON  IPD025N06NATMA1  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V

IPD035N06L3G和IPD025N06NATMA1的区别

型号: IPD025N06N

品牌: 英飞凌

封装: TO-252 N-Channel 60V 90A

完全替代

INFINEON  IPD025N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V

IPD035N06L3G和IPD025N06N的区别

型号: IPD053N06N

品牌: 英飞凌

封装: PG-TO252-3 N-Channel 60V 45A

功能相似

INFINEON  IPD053N06N  晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V

IPD035N06L3G和IPD053N06N的区别