极性 N-Channel
耗散功率 167 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252
封装 TO-252
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD035N06L3G | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD035N06L3G 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-252AA N-Channel | 当前型号 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: IPD025N06NATMA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 90A | 完全替代 | INFINEON IPD025N06NATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V | IPD035N06L3G和IPD025N06NATMA1的区别 | |
型号: IPD025N06N 品牌: 英飞凌 封装: TO-252 N-Channel 60V 90A | 完全替代 | INFINEON IPD025N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 60 V, 0.0021 ohm, 10 V, 2.8 V | IPD035N06L3G和IPD025N06N的区别 | |
型号: IPD053N06N 品牌: 英飞凌 封装: PG-TO252-3 N-Channel 60V 45A | 功能相似 | INFINEON IPD053N06N 晶体管, MOSFET, N沟道, 45 A, 60 V, 0.0045 ohm, 10 V, 2.8 V | IPD035N06L3G和IPD053N06N的区别 |