IPS1021SPBF、VNB35N07TR-E、VNB35NV04TR-E对比区别

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型号 IPS1021SPBF VNB35N07TR-E VNB35NV04TR-E

描述 Power Switch Lo Side 4.8A 3Pin(2+Tab) D2PAKSTMICROELECTRONICS  VNB35N07TR-E  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 80 V, 28 mohm, 10 V, 3 VMOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器MOS管FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1 1

输出电流 6 A 35 A 60 A

供电电流 - 0.25 mA 0.1 mA

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 0.025 Ω 0.028 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 3.1 W 125 W 125 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) - 80 V -

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 18.0 A 35.0 A

输入电压(Max) - 18 V -

输出电流(Max) 4.8 A 25 A 30 A

输出电流(Min) - 25 A 30 A

输入数 - 1 1

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) - 125000 mW 125000 mW

输入电压 4.5V ~ 5.5V 18 V -

工作电压 36.0V (max) - -

额定功率 3.1 W - -

输入电压(DC) 5.50 V - -

产品系列 IPS1021S - -

工作温度(Min) -40 ℃ - 40 ℃

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

漏源击穿电压 - - 70.0 V

上升时间 - - 100 µs

下降时间 - - 110 µs

长度 - 10.2 mm -

宽度 - 9.15 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) - -40℃ ~ 150℃ (TJ)